X
-
Załączniki bezpieczeństwa
Załczniki do produktuZałączniki dotyczące bezpieczeństwa produktu zawierają informacje o opakowaniu produktu i mogą dostarczać kluczowych informacji dotyczących bezpieczeństwa konkretnego produktu
-
Informacje o producencie
Informacje o producencieInformacje dotyczące produktu obejmują adres i powiązane dane producenta produktu.samsung electronics polska
-
Osoba odpowiedzialna w UE
Osoba odpowiedzialna w UEPodmiot gospodarczy z siedzibą w UE zapewniający zgodność produktu z wymaganymi przepisami.
Napięcie pracy: 3,3 V
Standardowe rozwiązania komunikacyjne: PCI Express 3.0
NVMe: Tak
Waga produktu: 8 g
NVMe wersja: 1.4
Wibracje podczas pracy: 1500 G
Losowy zapis (4KB): 480000 IOPS
Pojemność pamięci SSD: 1000 GB
Maksymalne zużycie mocy: 5,3 W
Łącze PCI Express: x4
Element dla: PC/notebook
Prędkość odczytu z nośnika: 3500 MB/s
Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2
Obsługa S.M.A.R.T.: Tak
Losowy odczyt (4KB): 500000 IOPS
Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit AES
Zakres temperatur (eksploatacja): 0 - 70 °C
Średnie zużycie mocy: 4,6 W
MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h
Prędkość zapisu nośnika: 3000 MB/s
Szyfrowanie sprzętu: Tak
Typ pamięci: V-NAND
Standardowe rozwiązania komunikacyjne: PCI Express 3.0
NVMe: Tak
Waga produktu: 8 g
NVMe wersja: 1.4
Wibracje podczas pracy: 1500 G
Losowy zapis (4KB): 480000 IOPS
Pojemność pamięci SSD: 1000 GB
Maksymalne zużycie mocy: 5,3 W
Łącze PCI Express: x4
Element dla: PC/notebook
Prędkość odczytu z nośnika: 3500 MB/s
Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2
Obsługa S.M.A.R.T.: Tak
Losowy odczyt (4KB): 500000 IOPS
Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit AES
Zakres temperatur (eksploatacja): 0 - 70 °C
Średnie zużycie mocy: 4,6 W
MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h
Prędkość zapisu nośnika: 3000 MB/s
Szyfrowanie sprzętu: Tak
Typ pamięci: V-NAND
